- IGBT 模块 -

        IGBT  (Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（Bipolar Junction Transistor）双极型三极管和绝缘栅型场效应管MOS（Metal Oxide Semiconductor）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管GTR（Giant Transistor）的低导通压降两方面的优点。

      IGBT模块是由IGBT（绝缘栅双极型晶体管芯片）与FRD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上。

       IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见；IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP(原来为NPN)晶体管提供基极电流，使IGBT导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT关断。IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同，只需控制输入极N-沟道MOSFET，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道形成后，从P+基极注入到N-层的空穴（少子），对N-层进行电导调制，减小N-层的电阻，使IGBT在高电压时，也具有低的通态电压。

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